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部品番号(s) : HY51V18163HG-5 HY51V18163HG-6 HY51V18163HG-7 HY51VS18163HG-5 HY51VS18163HG-6 HY51VS18163HG-7
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 1M x 16Bit EDO DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 1M x 16Bit EDO DRAM
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Unspecified
コンポーネント説明 : 3V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Siemens AG
コンポーネント説明 : 3.3V 1M × 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Infineon Technologies
コンポーネント説明 : 1M × 16 DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
部品番号(s) : T431616D-5SC T431616D-6SC T431616E-7SC
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
Alliance Semiconductor
コンポーネント説明 : 1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
Samsung
コンポーネント説明 : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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