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IXYS CORPORATION
IXYS CORPORATION
コンポーネント説明 : NCHANNEL ENHANCEMENT MODE RF MOSFET
Diodes Incorporated.
Diodes Incorporated.
コンポーネント説明 : 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : BLF8G20LS-200V
Ampleon
Ampleon
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
Ampleon
Ampleon
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : BLF8G20LS-200V
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
コンポーネント説明 : 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
Diodes Incorporated.
Diodes Incorporated.
コンポーネント説明 : 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223
コンポーネント説明 : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
コンポーネント説明 : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
コンポーネント説明 : 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAM
コンポーネント説明 : 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
コンポーネント説明 : 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
部品番号(s) : BS107P BS107PSTZ
Diodes Incorporated.
Diodes Incorporated.
コンポーネント説明 : 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET
部品番号(s) : BS107P BS107PSTZ
Diodes Incorporated.
Diodes Incorporated.
コンポーネント説明 : 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET (Rev - 2019)
コンポーネント説明 : 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
コンポーネント説明 : 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
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