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Micron Technology
コンポーネント説明 : 36Mb QDR™II SRAM 2-WORD BURST
Cypress Semiconductor
コンポーネント説明 : SRAM 36Mb (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II SRAM
Vishay Semiconductors
コンポーネント説明 : Single Phase Bridge (Power Modules), 25 A/35 A
部品番号(s) : CY7C1441AV33-133AXI CY7C1441AV33-133AXC CY7C1441AV33 CY7C1441AV33-133BZI CY7C1441AV33-133BZXI
Cypress Semiconductor
コンポーネント説明 : SRAM 36Mb 3.3V 133Mhz 1M x 36 Sync SRAM
International Rectifier
コンポーネント説明 : SINGLE PHASE BRIDGE Power Modules
部品番号(s) : 36MB 36MB08 36MB10 36MB12 36MB16
Nell Semiconductor Co., Ltd
コンポーネント説明 : Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier, 35A
部品番号(s) : T35L3232B T35L3232B-3.8Q T35L3232B-4T
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : SYNCHRONOUS BURST SRAM 32K x 32 SRAM
部品番号(s) : T35L6464A T35L6464A-5Q T35L6464A-5L
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : SYNCHRONOUS BURST SRAM 64K x 64 SRAM
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
Samsung
コンポーネント説明 : 18Mb QDRII SRAM Specification 165FBGA with Pb & Pb-Free
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
Samsung
コンポーネント説明 : 256Kx18-Bit Synchronous BURST SRAM
部品番号(s) : GS8322Z18
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
White Electronic Designs Corporation
コンポーネント説明 : 512Kx32 Synchronous Pipeline BURST SRAM
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM (Rev - 2004)
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
Samsung
コンポーネント説明 : 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous BURST SRAM
Giga Semiconductor
コンポーネント説明 : 18Mb BURST of 4 SigmaQuad SRAM
Unspecified
コンポーネント説明 : Standard Pitch DIP Adapters
Samsung
コンポーネント説明 : 256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous BURST SRAM
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