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Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Unspecified
コンポーネント説明 : 64Mb( 4Banks ) Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 8M x 16 SDRAM 2M x 16Bit x 4Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 8M x 16 SDRAM 2M x 16Bit x 4Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 8M x 16 SDRAM 2M x 16Bit x 4Banks Synchronous DRAM
部品番号(s) : K4S561632A K4S561632A-TC/L1H K4S561632A-TC/L1L K4S561632A-TC/L75 K4S561632A-TC/L80 K4S561632A-TC
Samsung
コンポーネント説明 : 256Mbit SDRAM 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
コンポーネント説明 : 256Mbit SDRAM 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung
コンポーネント説明 : 256Mbit SDRAM 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung
コンポーネント説明 : 256Mbit SDRAM 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Unspecified
コンポーネント説明 : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Taiwan Memory Technology
コンポーネント説明 : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
[Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
コンポーネント説明 : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Integrated Silicon Solution
コンポーネント説明 : 4M x 32 128Mb Synchronous DRAM
Integrated Silicon Solution
コンポーネント説明 : 1M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
コンポーネント説明 : 4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
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