HIGH POWER RF LDMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 10 W 450 – 960 MHZ データシート - DatsheetQ

P/N +説明+コンテンツ検索

部品番号(s) : PG-RFP-10 PTF080101M

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 – 960 MHz

部品番号(s) : PTF080101 PTF080101S

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 860–960 MHz

部品番号(s) : MAPLST0810-030CF

Tyco Electronics

コンポーネント説明 : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 — 960 MHz, 30W, 26V

部品番号(s) : MAPLST0810-090CF

Tyco Electronics

コンポーネント説明 : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 — 960 MHz, 90W, 26V

部品番号(s) : MAPLST0810-045CF

Tyco Electronics

コンポーネント説明 : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 — 960 MHz, 45W, 26V

部品番号(s) : PTF080601 PTF080601A PTF080601E PTF080601F

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860–960 MHz

部品番号(s) : PTF210101M

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz

部品番号(s) : PTF080101S

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 – 960 MHz (Rev - 2004_10)

部品番号(s) : PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz

部品番号(s) : PTFC270101M-V1-R1K PTFC270101M PTFC270101MV1R1K

Cree, Inc

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz

部品番号(s) : PTF180101S

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : LDMOS RF Power Field Effect Transistor (Rev - 2007)

部品番号(s) : PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz (Rev - 2015)

部品番号(s) : PTF180101S PTF180101

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : LDMOS RF Power Field Effect Transistor

部品番号(s) : PTFA220121M

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 700 – 2200 MHz (Rev - 2010)

部品番号(s) : Z2C100RG10 Z2C121RC10 Z2C151RC10 Z2C221RC10 Z2C300RF10 Z2C301RB10 Z2C471RB10 Z2C600RF10 Z2C601RB10 Z2H152RB10

Superworld Electronics

コンポーネント説明 : Ferrite Chip Bead

部品番号(s) : PTFB213004FV2R250XTMA1 PTFB213004FV2R0XTMA1 PTFB213004F PTFB213004FV2R0 PTFB213004FV2R250

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 – 2170 MHz

部品番号(s) : PTFA220041M

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4 W, 700 – 2200 MHz (Rev - 2010)

部品番号(s) : PTFB213004FV2R250 PTFB213004FV2R0 PTFB213004F PTFB213004F-V2-R0 PTFB213004F-V2-R250

Cree, Inc

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 – 2170 MHz

部品番号(s) : PTFB241402F PTFB241402FV1R0 PTFB241402FV1R250 PTFB241402FV1R0XTMA1 PTFB241402FV1R250XTMA1

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 – 2400 MHz

部品番号(s) : PTF180101M

Infineon Technologies

コンポーネント説明 : High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 – 2.0 GHz

12 3 4 5 6 7 8 9 10 Next

All Rights Reserved© datasheetq.com [Privacy Policy ] [ Request Datasheet] [Contact Us]