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検索ワード :
部品番号(s) :
PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 28 V,
900
–
2700
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFC270101MV1R1KXUMA1 PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 28 V,
900
–
2700
MHz
(Rev - 2015)
ビュー
部品番号(s) :
PTFC270101M-V1-R1K PTFC270101M PTFC270101MV1R1K
Cree, Inc
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 28 V,
900
–
2700
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFC270051MV2R1KXUMA1 PTFC270051M PTFC270051MV2R1K
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
5 W, 28 V,
900
–
2700
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFC270051M-V2-R1K PTFC270051M PTFC270051MV2R1K
Cree, Inc
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
5 W, 28 V,
900
–
2700
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFA220121MV4R1KV4XUMA1 PTFA220121M PTFA220121MV4R1K
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
12 W, 28 V, 700 – 2200
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFB201402FC-V1-R250 PTFB201402FC-V1-R0 PTFB201402FC PTFB201402FCV1R0 PTFB201402FCV1R250
Cree, Inc
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
140 W, 28 V, 2010 – 2025
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PXAC243502FVV1R250XTMA1 PXAC243502FVV1R0XTMA1 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R0 PXAC243502FVV1R250
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
350 W, 28 V, 2300 – 2400
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFA220121M-V4-R1K PTFA220121M PTFA220121MV4R1K
Cree, Inc
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
12 W, 28 V, 700 – 2200
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PXAC243502FV-V1-R250 PXAC243502FV-V1-R0 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R0 PXAC243502FVV1R250
Cree, Inc
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
350 W, 28 V, 2300 – 2400
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PXAC243502FVV1R250XTMA1 PXAC243502FV PXAC243502FVV1R250
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
350 W, 28 V, 2300 – 2400
MHz
(Rev - 2015)
ビュー
部品番号(s) :
PTFB201402FCV1R250XTMA1 PTFB201402FCV1R0XTMA1 PTFB201402FC PTFB201402FCV1R0 PTFB201402FCV1R250
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
140 W, 28 V, 2010 – 2025
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFA220041MV4R1K PTFA220041M PTFA220041MV4R1KXUMA1
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
4 W, 28 V, 700 – 2200
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTF10100
Ericsson
コンポーネント説明 :
165 Watts, 860–
900
MHz
LDMOS
Field
Effect
Transistor
ビュー
部品番号(s) :
PTF180101S
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
LDMOS
RF
Power
Field
Effect
Transistor
(Rev - 2007)
ビュー
部品番号(s) :
PTF180101S PTF180101
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
LDMOS
RF
Power
Field
Effect
Transistor
ビュー
部品番号(s) :
PTFA220121M
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
12 W, 700 – 2200
MHz
(Rev - 2010)
ビュー
部品番号(s) :
PTFB213004FV2R250XTMA1 PTFB213004FV2R0XTMA1 PTFB213004F PTFB213004FV2R0 PTFB213004FV2R250
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
300 W, 2110 – 2170
MHz
ビュー
部品番号(s) :
PTFA220041M
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
4 W, 700 – 2200
MHz
(Rev - 2010)
ビュー
部品番号(s) :
PG-RFP-10 PTF080101M
Infineon Technologies
コンポーネント説明 :
High
Power
RF
LDMOS
Field
Effect
Transistor
10 W, 450 – 960
MHz
ビュー
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