LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 NM ALGAINAS MQWDFB LASER DIODE データシート

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部品番号(s) : NX6350GP33-AZ NX6350GP NX6350GP27-AZ NX6350GP29-AZ NX6350GP31-AZ

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6350EP NX6350EP27-AZ NX6350EP29-AZ NX6350EP31-AZ NX6350EP33-AZ

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6350EP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6350GP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6352GP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6353EP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6352GP NX6352GP27-AZ NX6352GP29-AZ NX6352GP31-AZ NX6352GP33-AZ NX6352GP35-AZ

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6353EP33-AZ NX6353EP NX6353EP27-AZ NX6353EP29-AZ NX6353EP31-AZ NX6353EP35-AZ

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6351GP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6351GP NX6351GP27-AZ NX6351GP29-AZ NX6351GP31-AZ NX6351GP33-AZ NX6351GP35-AZ

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU APPLICATION

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部品番号(s) : NX6240GP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 270 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX6342EP

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

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部品番号(s) : NX8349TS NX8349YK NX8349XK

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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部品番号(s) : NX8369TS

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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部品番号(s) : NX8369TS

Renesas Electronics

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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部品番号(s) : NX8349TB

California Eastern Laboratories.

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部品番号(s) : NX8346TS

NEC => Renesas Technology

コンポーネント説明 : 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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部品番号(s) : NX8341UL-AZ NX8341UJ-AZ NX8341UH-AZ NX8341UB-AZ NX8341TL-AZ NX8341TJ-AZ NX8341 NX8341TB-AZ NX8341UN-AZ NX8341TB

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION (Rev - 2006)

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部品番号(s) : NX8349TS NX8349XK NX8349YK

California Eastern Laboratories.

コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 310 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 10 Gb/s APPLICATION

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部品番号(s) : NX8369TB

California Eastern Laboratories.

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