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部品番号(s) : NX7563JB-BC NX7563JB-BC-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NDL7565P NDL7565PC NDL7565P1 NDL7565P1C
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7563JB-BC
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7537BF-AA NX7537BF-AA-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE COAXIAL MODULE FOR OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7539BB-AA NX7539BB-AA-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE COAXIAL MODULE FOR OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7538BF-AA NX7538BF-AA-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : 1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE COAXIAL MODULE FOR OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7537BF-AA
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE COAXIAL MODULE FOR OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7538BF-AA
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE COAXIAL MODULE FOR OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7539BB-AA
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE 1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE COAXIAL MODULE FOR OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NDL7502PC
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP STRAINED MQW-DFB PULSED LASER DIODE MODULE FOR 1310 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7363JB-BC NX7363JB-BC-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7663JB-BC NX7663JB-BC-AZ
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NDL7515P NDL7515PC NDL7515P1 NDL7515P1C
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7363JB-BC
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 310 nm OTDR APPLICATION
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE FOR 1310 nm OTDR APPLICATION
部品番号(s) : NX7663JB-BC
Renesas Electronics
コンポーネント説明 : LASER DIODE InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 625 nm OTDR APPLICATION DESCRIPTION
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1550nm OTDR APPLICATION
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION
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