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部品番号(s) : RD3P200SNFRA
ROHM Semiconductor
コンポーネント説明 : Nch 100V 20A Power MOSFET
Nanjing International Group Co
コンポーネント説明 : 20.0 A Schottky Barrier Rectifier
部品番号(s) : BLF8G27LS-100V BLF8G27LS-100GV
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
コンポーネント説明 : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
部品番号(s) : BLF8G27LS-100V BLF8G27LS-100GV
Ampleon
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : IRFI540N
International Rectifier
コンポーネント説明 : Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=20A)
部品番号(s) : BLF8G24LS-100V BLF8G24LS-100GV
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : BLF8G24LS-100V BLF8G24LS-100GV
Ampleon
コンポーネント説明 : Power LDMOS transistor
部品番号(s) : ESJA53-20A
getedz electronics
コンポーネント説明 : 5mA 20kV HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER DIODES
部品番号(s) : ESJA02-20A
getedz electronics
コンポーネント説明 : High Voltage Silicon Rectifier Diode
部品番号(s) : HSTS016L-20A
Beijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd.
コンポーネント説明 : Hall split core current sensor
部品番号(s) : ESJA53-20A
SUNMATE electronic Co., LTD
コンポーネント説明 : HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : 20A, 100V SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
部品番号(s) : EKG1020 FKG1020
Sanken Electric co.,ltd.
コンポーネント説明 : 100V, 20A Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET
Allegro MicroSystems
コンポーネント説明 : Fully Integrated, Hall Effect-Based Linear Current Sensor IC with 2.1 kVRMS Isolation and a Low-Resistance Current Conductor
部品番号(s) : 2SK3707 K3707 2SK3707-1E
ON Semiconductor
コンポーネント説明 : N-Channel Power MOSFET 100V, 20A, 60mΩ, TO-220F-3SG
部品番号(s) : ESJA53-20A
getedz electronics
コンポーネント説明 : 5.0mA 20kV 80nS--HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES (Rev - 2016)
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