HYB5117405BJ-600 データシートの表示（PDF） - Siemens AG

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

HYB5117405BJ-600

4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh (Hyper Page Mode- EDO)

Siemens AG 

HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70

4M x 4-EDO DRAM

Read Cycle:

RAS

V IH

V IL

CAS

Address

WE

OE

I/O

(Inputs)

I/O

(Outputs)

V IH

V IL

V IH

V IL

V IH

V IL

V IH

V IL

V IH

V IL

VOH

VOL

Write Cycle:

V IH

WE

V IL

OE

V IH

V IL

I/O

(Inputs)

V IH

V IL

I/O

V

(Outputs)

V

IH

IL

tRAS

tRP

tCSR

tCHR

tWRP

tWRH

tWRP

tWRH

tCP

tRSH

tCAS

tRAL

t t ASC

CAH

Column

tAA

tRCS

tCAC

tOEA

tASR

Row

tRRH

tRCH

tDZC

tDZO

tCLZ

tCDD

tODD

tOFF

tOEZ

Data Out

tWCS

tRWL

tCWL

tWCH

tDS

tDH

Data In

HI-Z

CAS-Before-RAS Refresh Counter Test Cycle

Semiconductor Group

24

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