BUZ81 データシートの表示（PDF） - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BUZ81 Datasheet PDF : 9 Pages
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BUZ 81
Avalanche energy EAS = ƒ(Tj)
parameter: ID = 4 A, VDD = 50 V
RGS = 25 Ω, L = 48 mH
450
mJ
EAS 350
300
250
200
150
100
50
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
Tj
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)
Typ. gate charge
VGS = ƒ(QGate)
parameter: ID puls = 6 A
16
V
VGS
12
10
0,2
V
DS
max
8
0,8
V
DS
max
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 nC 200
QGate
960
V
920
V(BR)DSS
900
880
860
840
820
800
780
760
740
720
-60
-20
20
60
100 °C 160
Tj
Semiconductor Group
8
07/96
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