Q62702-P5014 データシートの表示（PDF） - Siemens AG

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

Q62702-P5014

Silicon NPN Phototransistor

Siemens AG 

SFH 3401

Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 10 V, E = 0

Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode

Photocurrent of collector-base photodiode

Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V

Symbol

Symbol

λS max

Wert

Value

850

Einheit

Unit

nm

λ

460 ... 1080 nm

A

LxB

LxW

H

ϕ

CCE

CCB

CEB

ICEO

0.55

mm2

1x1

mm x mm

0.2 ... 0.3 mm

± 60

Grad

deg.

15

pF

45

pF

19

pF

10 (≤ 200) nA

IPCB

0.28

µA

IPCB

4.8

µA

Semiconductor Group

3

1998-04-27

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