BFR520 データシートの表示（PDF） - Inchange Semiconductor

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

BFR520

Silicon NPN RF Transistor

Inchange Semiconductor 

INCHANGE Semiconductor

isc Silicon NPN RF Transistor

isc RF Product Specification

BFR520

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN TYP. MAX UNIT

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 6V; IE= 0

0.05 μA

hFE

DC Current Gain

IC= 20mA ; VCE= 6V

60

250

fT

Current-Gain—Bandwidth Product IC= 20mA ; VCE= 6V; f= 1GHz

9

GHz

COB

Output Capacitance

IE= 0 ; VCB= 6V; f= 1MHz

0.5

pF

PG

Power Gain

IC= 20mA ; VCE= 6V; f= 900MHz

15

dB

PG

Power Gain

︱S21e︱2 Insertion Power Gain

NF

Noise Figure

IC= 20mA ; VCE= 6V; f= 2GHz

IC= 20mA ; VCE= 6V; f= 900MHz

IC= 5mA ; VCE= 6V; f= 900MHz

9

dB

13

14

dB

1.1 1.6 dB

NF

Noise Figure

IC= 20mA ; VCE= 6V; f= 900MHz

1.6 2.1 dB

isc Website：www.iscsemi.cn

2

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