SFH464E7800 データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

SFH464E7800

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

Infineon Technologies 

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

SFH 464

Wesentliche Merkmale

• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Hohe Zuverlässigkeit

• Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

• Hermetisch dichtes Metallgehäuse

• Gehäusegleich mit BP 103, LD 242

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• IR-Gerätefernsteuerungen

• Sensorik

• Lichtgitter

Features

• Fabricated in a liquid phase epitaxy process

• Cathode is electrically connected to the case

• High reliability

• Matches all Si-Photodetectors

• Hermetically sealed package

• Same package as BP 103, LD 242

Applications

• Photointerrupters

• IR remote control of various equipmet

• Sensor technology

• Light-grille barrier

Typ

Type

SFH 464 E7800

Bestellnummer

Ordering Code

Q62702-Q1745

Gehäuse

Package

18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares

Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),

Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden

18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead

spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at

package bottom

2001-02-22

1

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