ZHB6718(1997) データシートの表示（PDF） - Diodes Incorporated.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

ZHB6718
(Rev.:1997)

SM-8 BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE

Diodes Incorporated. 

ZHB6718

NPN TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERISTICS

1

+25 °C

100m

10m

1m

1m

I+/I*=100

I+/I*=50

I+/I*=10

10m

100m

1

10

IC - Collector Current (A)

VCE(sat) v IC

0.4

I+/I*=50

0.3

0.2

0.1

100°C

25°C

-55°C

0.0

1mA

10mA 100mA 1A

10A

Collector Current

VCE(sat) vs IC

1.2 100°C

1.0

0.8 25°C

0.6

-55°C

0.4

0.2

0.0

1mA

V+-=2V

450

225

0

10mA 100mA 1A

10A

Collector Current

hFE vs IC

1.2 I+/I*=50

1.0

0.8

0.6

0.4

-55°C

25°C

100°C

0.2

0.0

1mA

10mA 100mA

1A

10A

Collector Current

VBE(sat) vs IC

1.0 V+-=2V

0.8

0.6

0.4

-55°C

25°C

100°C

0.2

0.0

1mA

10mA

100mA 1A

10A

Collector Current

VBE(on) vs IC

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