ZHB6718(1997) データシートの表示（PDF） - Diodes Incorporated.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

ZHB6718
(Rev.:1997)

SM-8 BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE

Diodes Incorporated. 

PNP TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERISTICS

ZHB6718

1

+25°C

100m

0.6

I+/I*=30

0.5

0.4

10m

1m

1m

10m

100m

I+/I*=50

I+/I*=30

I+/I*=10

1

10

0.3

100°C

0.2

25°C

-55°C

0.1

0.0

1mA

10mA

100mA

1A

10A

IC - Collector Current (A)

VCE(sat) v IC

Collector Current

VCE(sat) vs IC

1.4 100°C

1.2

25°C

1.0

0.8

0.6

-55°C

0.4

0.2

0.0

1mA

V+-=2V

450

10mA

100mA 1A

Collector Current

hFE vs IC

225

0

10A

1.4 I+/I*=10

1.2

1.0

0.8

-55°C

25°C

0.6

100°C

0.4

0.2

0.0

1mA

10mA

100mA

1A

10A

Collector Current

VBE(sat) vs IC

1.2

V+-=2V

1.0

0.8

0.6

0.4

-55°C

25°C

100°C

0.2

0.0

1mA

10mA

100mA

1A

10A

Collector Current

VBE(on) vs IC

Share Link: