LD242E7800 データシートの表示（PDF） - Siemens AG

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

LD242E7800

GaAs Infrared Emitter

Siemens AG 

LD 242

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Bezeichnung

Description

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

-2

-3

78001)

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Ie

4 ... 8

IF = 1 A, tp = 100 µs

Ie typ.

50

> 6.3

75

1 ... 3.2

–

mW/sr

mW/sr

1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser

der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,

daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der

Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen

nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken

störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen

ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich

für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den

Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.

1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle

(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the

radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the

radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These

reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection

switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by

apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.

This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.

Semiconductor Group

4

1998-07-15

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