STU11N65M2 データシートの表示（PDF） - STMicroelectronics

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

STU11N65M2

N-channel 650 V, 0.6 Ω typ., 7 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

STMicroelectronics 

Electrical characteristics

STD11N65M2, STP11N65M2, STU11N65M2

Figure 14. Source-drain diode forward

characteristics

VSD (V)

GIPD251020131114SA

1.4

Figure 15. Output capacitance stored energy

Eoss(µJ)

GIPD251020131124SA

1.2

3

TJ=-50°C

1

0.8

2

0.6

TJ=150°C

TJ=25°C

0.4

1

0.2

0

0 1 2 3 4 5 6 ISD(A)

0

0 100 200 300 400 500 600 VDS(V)

8/21

DocID026376 Rev 1

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