9014M データシートの表示（PDF） - Unspecified

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

9014M

SILICON NPN TRANSISTOR

Unspecified 

9014M(3DG9014M)

硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR

用途:用于低电平、低噪声的前置放大器。/Purpose: Low frequency, lownoise pre-amplifier.

特点:PC 大,hFE 高且特性好,与 9015M(3CG9015M)互补。/Features: High PC and hFE, excellent

hFE linearity, complementary pair with 9015M(3CG9015M).

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

参数符号

数值

单位

Symbol

Rating

Unit

VCBO

50

V

VCEO

45

V

VEBO

5.0

V

IC

100

mA

PC

400

mW

Tj

150

℃

Tstg

-55～150 ℃

电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)

数值

参数符号

测试条件

Rating

Symbol

Test condition

最小值 典型值 最大值

Min

Typ

Max

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE

fT

Cob

NF

IC=0.1mA

IC=1.0mA

IE=0.1mA

VCB=50V

VEB=5.0V

VCE=5.0V

IC=100mA

IC=100mA

VCE=5.0V

VCE=5.0V

VCB=10V

VCE=5.0V

Rg=2.0KΩ

IE=0 50

IB=0 45

IC=0

IE=0

IC=0

IC=1.0mA

IB=5.0mA

IB=5.0mA

IC=2.0mA

IC=10mA

IE=0 f=1.0MHz

IC=0.2mA

f=1.0KHz ∆f=200Hz

5.0

0.05

0.05

60

1000

0.14 0.3

0.84

1.0

0.63

0.7

150 270

2.2

3.5

0.9

10 dB

单位

Unit

V

V

V

μA

μA

V

V

V

MHz

pF

hFE 分档、印章/hFE classifications、Marking：

hFE 分档/hFE Classifications

AB

hFE 范围/hFE Range

60～150

印章/Marking

HJ6A HJ6B

100～300 200

C

D

～600 400 ～1000

HJ6C

HJ6D

佛山市蓝箭电子有限公司

FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO.LTD

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