MPSA13 データシートの表示（PDF） - Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

MPSA13

NPN Darlington Transistor

Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 

MPSA13

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

■ELECTRICAL CHARACRTERISTICS 電特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Collector Cutoff Current

集電極截止電流

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流

Symbol

符號

ICBO

IEBO

Collect-Base Breakdown Voltage

集電極-基極擊穿電壓

V(BR)CBO

Collect-Base Breakdown Voltage

集電極-基極擊穿電壓

V(BR)CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

發射極-基極擊穿電壓

V(BR)EBO

DC Current Gain

直流電流增益

hFE

DC Current Gain

直流電流增益

hFE

Collector-Emitter Saturation Voltage

集電極-發射極飽和壓降

VCE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

基極-發射極飽和壓降

Transition Frequency

特徵頻率

Collector Output Capacitance

輸出電容

VBE(on)

fT

Cob

Test Condition

測試條件

VCB= 30V,IE=0

VEB= 10V,IC=0

IC= 100μA

IC= 1.0mA

IE= 100μA

VCE= 5V,

IC=10mA

VCE= 5V,

IC=100mA

IC= 100mA,

IB= 0.5mA

VCE= 5V,

IC=100mA

VCE= 5V,

IC= 10mA

VCB=10V,IE=0,

f=1MHz

Min TYP Max Unit

最小值 典型值 最大值 單位

—

—

0.1 μA

—

—

0.1 μA

30

—

—

V

30

—

—

V

10

—

—

V

5000

—

—

—

10000 —

—

—

—

—

1.5

V

—

—

2

V

125

—

— MHz

—

4

—

pF

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