2SB1198K データシートの表示（PDF） - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

2SB1198K

Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package

Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 

2SB1198K

Rev.F Apr.-2017

极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

符号

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PC

Tj

Tstg

DATA SHEET

数值

Rating

-80

-80

-5

-500

200

150

-55～150

单位

Unit

V

V

V

mA

mW

℃

℃

电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Breakdown

Voltage

Collector to Emitter Breakdown

Voltage

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

VCBO IC=-50μA

VCEO IC=-2mA

最小值 典型值 最大值 单位

Min Typ Max Unit

-80

V

-80

V

Emitter to Base Breakdown Voltage VEBO IE=-50μA

-5

V

Collector Cut-Off Current

ICBO VCB=-50 V IE=0

-0.5 μA

Emitter Base Cut-Off Current

IEBO VEB=-4.0V IC=0

-0.5 μA

DC Current Gain

Collector to Emitter Saturation

Voltage

Transition Frequency

Collector output capacitance

hFE VCE=-3.0V IC=-100mA 120

390

VCE(sat)

fT

Cob

IC=-500mA

IC=-50mA

f=100MHz

VCB=-10V

f=1.0MHz

IB=-50mA

VCE=-10V

IE=0

-0.2 -0.5 V

180

MHz

11

pF

http://www.fsbrec.com

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