SFE1B データシートの表示（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
SFE1B Datasheet PDF : 2 Pages
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SFE1A ... SFE1M
SFE1A ... SFE1M
Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-01-23
Nominal current – Nennstrom
1A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca.
0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Type
Typ
SFE1A
SFE1B
SFE1D
SFE1G
SFE1J
SFE1K
SFE1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i2t
Tj
TS
1A
10 A 1)
30 A
4.5 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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