MSK3018 データシートの表示（PDF） - M.S. Kennedy
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MSK3018 Datasheet PDF : 5 Pages
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
VDSS Drain to Source Voltage ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 55V MAX
VDGDR Drain to Gate Voltage
VGS
ID
(RGS=1MΩ) 55V MAX ○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
Gate to Source Voltage (Continuous) ○ ○ ○ ±20V MAX
Continuous Current (N-Channel) ○ ○ ○ ○ ○ ○ 30A MAX
(P-Channel) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 14A MAX
IDM Pulsed Current (N-Channel) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 40A MAX
(P-Channel) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 20A MAX
Single Pulse Avalanche Energy
(Q2,Q4,Q6)
570mJ
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
(Q1,Q3,Q5) 180mJ ○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
TJ
Junction Temperature ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ +175°C MAX
TST Storage Temperature ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ -55°C to +150°C
TC Case Operating Temperature Range -55°C to +125°C
TLD Lead Temperature Range
(10 Seconds Lead Only) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 200°C MAX
RTH-JC Thermal Resistance (Junction to Case)
P-Channel @ 25°C ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 6.9°C/W
P-Channel @ 125°C ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 10.4°C/W
N-Channel @ 25°C ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 2.1°C/W
N-Channel @ 125°C ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 3.3°C/W
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Parameter
Test Conditions 4
Min.
MSK3018
Typ.
Max.
Units
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0 ID=0.25mA (All Transistors)
55
-
-
V
Drain-Source Leakage Current
VDS=55V VGS=0V (Q2,Q4,Q6)
VDS=-55V VGS=0V (Q1,Q3,Q5)
-
-
25
μA
-
-
-25
μA
Gate-Source Leakage Current
VGS=±20V VDS=0 (All Transistors)
-
-
±100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
VDS=VGS ID=100μA (Q2,Q4,Q6)
VDS=VGS ID=100μA (Q1,Q3,Q5)
2.0
-
4.5
V
-2.0
-
-4.5
V
Drain-Source On Resistance 2 5
VGS=10V ID=10A (Q2,Q4,Q6)
VGS=-10V ID=-10A (Q1,Q3,Q5)
-
-
0.04
Ω
-
-
0.16
Ω
Drain-Source On Resistance 3
VGS=10V ID=10A (Q2,Q4,Q6)
VGS=10V ID=-10A (Q1,Q3,Q5)
-
-
0.013
Ω
-
-
0.10
Ω
Forward Transconductance 1
VDS=25V ID=10A (Q2,Q4,Q6)
VDS=-25V ID=-10A (Q1,Q3,Q5)
30
-
4.2
-
-
S
-
S
N-Channel (Q2,Q4,Q6)
Total Gate Charge 1
ID=30A
-
-
150
nC
Gate-Source Charge 1
VDS=44V
-
-
24
nC
Gate-Drain Charge 1
VGS=10V
-
-
55
nC
Turn-On Delay Time 1
VDD=28V
-
14
-
nS
Rise Time 1
ID=30A
-
62
-
nS
Turn-Off Delay Time 1
RG=2.5Ω
-
47
-
nS
Fall Time 1
RD=0.93Ω
-
58
-
nS
Input Capacitance 1
VGS=0V
-
3400
-
pF
Output Capacitance 1
VDS=25V
-
830
-
pF
Reverse Transfer Capacitance 1
f=1MHz
-
240
-
pF
P-CHANNEL (Q1,Q3,Q5)
Total Gate Charge 1
ID=-10A
-
-
35
nC
Gate-Source Charge 1
VDS=-44V
-
-
7.9
nC
Gate-Drain Charge 1
VGS=-10V
-
-
16
nC
Turn-On Delay Time 1
VDD=-28V
-
13
-
nS
Rise Time 1
ID=-10A
-
55
-
nS
Turn-Off Delay Time 1
RG=13Ω
-
130
-
nS
Fall Time 1
RD=2.6Ω
-
41
-
nS
Input Capacitance 1
VGS=0V
-
620
-
pF
Output Capacitance 1
VDS=-25V
-
280
-
pF
Reverse Transfer Capacitance 1
f=1MHz
-
140
-
pF
BODY DIODE
Forward On Voltage 1
IS=30A VGS=0V (Q2,Q4,Q6)
IS=-10A VGS=0V (Q1,Q3,Q5)
-
1.3
-
V
-
-1.6
-
V
Reverse Recovery Time 1
IS=30A di/dt=100A/μS (Q2,Q4,Q6)
IS=-10A di/dt=100A/μS (Q1,Q3,Q5)
-
120
190
nS
-
54
82
nS
Reverse Recovery Charge 1
IS=30A di/dt=100A/μS (Q2,Q4,Q6)
IS=-10A di/dt=100A/μS (Q1,Q3,Q5)
-
510
760
nC
-
110
160
nC
NOTES:
1 This parameter is guaranteed by design but need not be tested. Typical parameters are representative of actual device performance but are for reference only.
2 Resistance as seen at package pins.
3 Resistance for die only; use for thermal calculations.
4 TA=25°C unless otherwise specified.
5 Test limits due to autotest fixturing constraints.
2
Rev. C 7/10
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