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部品番号
コンポーネント説明
RJP30E2DPK-M0-T0 データシートの表示(PDF) - Renesas Electronics
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
RJP30E2DPK-M0-T0
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Renesas Electronics
RJP30E2DPK-M0-T0 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
RJP30E2DPK-M0
Preliminary
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
10
3
D=1
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.03
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
0.003
0.001
Tc = 25
°
C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
D=
PW
T
1
10
Switching Time Test Circuit
Ic Monitor
R
L
Vin Monitor
Rg
D.U.T.
V
CC
Vin = 15 V
Waveform
90%
Vin
10%
www.DataSheet.co.kr
Ic
td(on)
90%
10%
tr
ton
td(off)
90%
10%
tf
toff
R07DS0348EJ0100 Rev.1.00
Apr 12, 2011
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