Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
部品番号
コンポーネント説明
2SJ668 データシートの表示(PDF) - Toshiba
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2SJ668
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U−MOSIII)
Toshiba
2SJ668 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
R
DS (ON)
−
Tc
0.4
Common source
Pulse test
0.3
0.2
VGS
= −
4 V
0.1
ID
= −
5 A
−
2.5
−
1.2
−
5
−
2.5
−
1.2
VGS
= −
10 V
0
−
80
−
40
0
40
80
120
160
Case temperature Tc (°C)
2SJ668
10
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
I
DR
−
V
DS
−
10
−
5
−
3
1
−
1
VGS
=
0 V
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
10000
Common source
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
1000
Ciss
100
Coss
10
−
0.1
Crss
−
1
−
10
−
100
Drain-source voltage V
DS
(V)
V
th
−
Tc
−
2.0
Common source
VDS
= −
10 V
ID
=
1 mA
−
1.6
Pulse test
−
1.2
−
0.8
−
0.4
0
−
80
−
40
0
40
80
120
160
Case temperature Tc (°C)
P
D
−
Tc
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
Case temperature Tc (°C)
Dynamic input/output
characteristics
−
50
VDS
−
25
Common source
ID
= −
5 A
−
40
Ta
=
25°C
−
20
Pulse test
−
30
−
15
−
20
−
10
0
0
−
12V
−
24V
VDD
= −
48 V
VGS
5
10
15
20
25
Total gate charge Q
g
(nC)
−
10
−
5
0
30
4
2009-07-13
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]