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4126PL データシートの表示(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

部品番号
コンポーネント説明
メーカー
4126PL
Hwdz
Jilin Sino-Microelectronics Hwdz
4126PL Datasheet PDF : 6 Pages
1 2 3 4 5 6
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
3DD4126PL
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES
350
V
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageIB=0VCEO
发射极基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
200
V
7
V
最大集电极直流电流
Collector CurrentDC
IC
3
A
最大集电极脉冲电流
Collector Currentpulse
ICP
6
A
最大基极直流电流
Base CurrentDC
IB
1
A
最大基极脉冲电流
Base Currentpulse
IBP
2
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
PC
40
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
PC
60
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=350V, IE=0
VCE=200V,IB=0
VEB=7V, IC=0
200
-
-
350
-
-
7
-
-
-
-
100
-
-
50
-
-
10
Hfe(1)
Hfe(2)
VCE(sat)(1)
VCE =5V, IC=0.5A
VCE =5V, IC=2A
IC=1A, IB=0.2A
8
-
50
7
-
-
-
-
0.8
VCE(sat)(2)
VBE(sat)
tf
ts
IC=3A, IB=0.6A
IC=2A, IB=0. 5A
VCC=24V IC=0.5A,IB1=-IB2=0.1A
-
-
1.6
-
-
1.5
-
-
0.7
-
-
4
fT
VCE=10V, IC=0.5A
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-126
Thermal Resistance Junction Case TO-126
结到管壳的热阻 TO-220
Thermal Resistance Junction Case TO-220
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
3.125
/W
Rth(j-c)
-
2.08
/W
版本:200910C
2/6

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