KOM2057L データシートの表示（PDF） - Siemens AG

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

KOM2057L

3-Chip Silicon Photodiode Array

Siemens AG 

KOM 2057 L

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) per single diode

Bezeichnung

Description

Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

Spectral sensitivity

Maximale Abweichung der

Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert

Max. deviation of the system spectral

sensitivity from the average value

Quantenausbeute, λ = 850 nm

Quantum yield

Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix

Open-circuit voltage

Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix

Short-circuit current

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

RL = 50 Ω, VR = 10 V;

λ = 850 nm; IP = 800 µA

Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0

Forward voltage

Kapazität

Capacitance

VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0

Temperaturkoeffizient von VO

Temperature coefficient of VO

Temperaturkoeffizient von IP

Temperature coefficient of IP

Rauschäquivalente

Strahlungsleistung

Noise equivalent power

VR = 10 V, λ = 850 nm

Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm

Detection limit

Symbol

Symbol

Sλ

∆S

η

VO

ISC

tr, tf

VF

C0

TCV

TCI

NEP

D*

Wert

Value

0.62

± 10

0.90

365 (≥ 300)

80

14

1.3

72

–2.6

0.18

4.1 × 10–14

6.6 × 1012

Einheit

Unit

A/W

%

Electrons

Photon

mV

µA

ns

V

pF

mV/K

%/K

W

√Hz

cm · √Hz

W

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