BA779-2 データシートの表示（PDF） - Vishay Semiconductors

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

BA779-2

RF PIN Diodes - Dual in SOT-23

Vishay Semiconductors 

BA779-2

Vishay Semiconductors

Parameter

Differential forward resistance

Reverse impedance

Minority carrier lifetime

Test condition

f = 100 MHz, IF = 1.5 mA

f = 100 MHz, VR = 0

IF = 10 mA, IR = 10 mA

Package Dimensions in mm (Inches)

Symbol

Min

Typ.

Max

Unit

rf

50

Ω

zr

5

kΩ

τ

4

µs

0.4 (.016) 0.4 (.016)

3.1 (.122)

2.8 (.110)

0.4 (.016)

3

0.175 (.007)

0.098 (.005)

0.1 (.004) max.

2.6 (.102)

2.35 (.092)

Mounting Pad Layout

0.52 (0.020)

ISO Method E

0.9 (0.035)

2.0 (0.079)

1

0.95 (.037)

2

0.95 (.037)

0.95 (0.037)

0.95 (0.037)

17418

www.vishay.com

2

Document Number 85531

Rev. 1.6, 14-Apr-05

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