BLV108 データシートの表示（PDF） - Shanghai Belling Co., Ltd.
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BLV108 Datasheet PDF : 2 Pages
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BLV108
N 沟纵向 MOSFET
描述:
N 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿
产品应用：
电话机电路
继电器电路
驱动电路等
工作条件 (T=25℃)
符号
参数
VDSS
漏源电压
VGSS
栅源电压
ID
漏电流
PD
Tj, TSDG
热特性
Power Dissipation for Dual Operation
结温度和存储温度
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Ambient
极限值
200
+ 20
300
1
-55 to +150
单位
V
V
mA
W
oC
125 K/W
电学特性 TA=25oC
符号
参数
BVDSS 源漏击穿电压
I DSS
零栅压时的漏极电流
I GSS
栅和衬底之间的漏电流
VGS (th) 阈值电压
RDS (on) 导通电阻
测试条件
最小 典型 最大 单位
VGS = 0V , I D = 10uA
200
V
VDS = 160V ,VGS = 0V
1 uA
VGS = ±20V ,VDS = 0V
+100 nA
VDS = VGS , I D = 1mA
0.4
1.8 V
VGS = 2.8V , I D = 100mA
5
Ω
http://www.belling.com.cn
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Total 2 Pages
8/18/2006
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