BSS126H6906 データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

BSS126H6906

SIPMOS® Small-Signal-Transistor

Infineon Technologies 

13 Forward characteristics of reverse diode

I F=f(V SD)

parameter: T j

0.1

150 °C

25 °C

BSS126

15 Typ. gate charge

V GS=f(Q gate); I D=0.1 A pulsed

parameter: V DD

6

0.2 VDS(max) 0.5 VDS(max)

5

4

150 °C, 98%

3

0.8 VDS(max)

25 °C, 98%

2

0.01

1

0

-1

-2

-3

0.001

0

0.5

1

1.5

2

2.5

VSD [V]

-4

0

0.4

0.8

1.2

1.6

Qgate [nC]

16 Drain-source breakdown voltage

I D=f(V GS); V DS=3 V; T j=25 °C

700

660

620

580

540

500

-60 -20

20

60 100 140 180

Tj [°C]

Rev. 2.1

page 7

2012-03-14

Share Link: