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部品番号
コンポーネント説明
C67078-S3129-A2 データシートの表示(PDF) - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
C67078-S3129-A2
SIPMOS ® Power Transistor
Siemens AG
C67078-S3129-A2 Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
BUZ 312
Avalanche energy
E
AS
=
ƒ
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 6 A,
V
DD
= 50 V
R
GS
= 25
Ω
,
L
= 43.8 mH
900
mJ
E
AS
700
600
500
400
300
200
100
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
T
j
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
ƒ
(
T
j
)
Typ. gate charge
V
GS
=
ƒ
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 9 A
16
V
V
GS
12
10
8
0,2
V
DS max
0,8
V
DS max
6
4
2
0
0 40 80 120 160 200 240 280 nC 360
Q
Gate
1200
V
1160
V
(BR)DS
1
S
140
1120
1100
1080
1060
1040
1020
1000
980
960
940
920
900
-60
-20
20
60
100 °C 160
T
j
Semiconductor Group
8
07/96
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