DTA143T データシートの表示（PDF） - ROHM Semiconductor

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

DTA143T

PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

ROHM Semiconductor 

DTA143T series

　

lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

DTA143TM

DTA143TEB

Power dissipation

DTA143TE

DTA143TUB

DTA143TUA

DTA143TKA

Junction temperature

Range of storage temperature

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

Symbol

Values

Unit

VCBO

-50

V

VCEO

-50

V

VEBO

-5

V

IC

-100

mA

150

150

150

PD*1

mW

200

200

200

Tj

150

℃

Tstg

-55 to +150

℃

lElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Collector-base breakdown

voltage

BVCBO IC = -50μA

Collector-emitter breakdown

voltage

BVCEO IC = -1mA

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Collector-emitter saturation voltage

DC current gain

Input resistance

BVEBO

ICBO

IEBO

VCE(sat)

hFE

R1

IE = -50μA

VCB = -50V

VEB = -4V

IC / IB = -5mA / -0.25mA

VCE = -5V, IC = -1mA

-

Transition frequency

f

*2

T

VCE = -10V, IE = 5mA,

f = 100MHz

*1 Each terminal mounted on a reference footprint

*2 Characteristics of built-in transistor

Values

Unit

Min. Typ. Max.

-50 -

-

V

-50 -

-

V

-5

-

-

V

-

- -0.5 μA

-

- -0.5 μA

-

- -0.3 V

100 250 600 -

3.29 4.7 6.11 kΩ

- 250 - MHz

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　

　

www.rohm.com

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20130530 - Rev.002

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