M470L3223DT0 データシートの表示（PDF） - Samsung

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

M470L3223DT0

256MB DDR SDRAM MODULE

Samsung 

M470L3223DT0

AC OPERATING TEST CONDITIONS (VDD=2.5V, VDDQ=2.5V, TA= 0 to 70°C)

Parameter

Input reference voltage for Clock

Value

0.5 * VDDQ

Input signal maximum peak swing

1.5

Input Levels(VIH/VIL)

VREF+0.31/VREF-0.31

Input timing measurement reference level

VREF

Output timing measurement reference level

Vtt

Output load condition

See Load Circuit

Unit

Note

V

V

V

V

V

Output

Vtt=0.5*VDDQ

RT=50Ω

Z0=50Ω

CLOAD=30pF

VREF

=0.5*VDDQ

Output Load Circuit (SSTL_2)

Input/Output CAPACITANCE (VDD=2.5V, VDDQ=2.5V, TA= 25°C, f=1MHz)

Parameter

Symbol

Min

Input capacitance(A0 ~ A11, BA0 ~ BA1,RAS,CAS, WE )

CIN1

36

Input capacitance(CKE0)

CIN2

36

Input capacitance( CS0 )

CIN3

34

Input capacitance( CLK0, CLK1)

CIN4

34

Data & DQS input/output capacitance(DQ0~DQ63)

COUT

8

Input capacitance(DM0~DM8)

CIN5

8

Max

44

44

42

38

9

9

Unit

pF

pF

pF

pF

pF

pF

Rev. 0.0 Dec. 2001

Share Link: