Q62702-K35 データシートの表示（PDF） - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
Q62702-K35 Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C, λ = 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Quantenausbeute
Quantum yield
Maximale Abweichung der
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage
Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω, VR = 10 V;
λ = 850 nm; IP = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0
Forward voltage
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von IP
Temperature coefficient of IP
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V
Nachweisgrenze, VR = 10 V
Detection limit
Sym-
bol
η
Wert
Value
KOM 2100 B
0.9
∆S ± 10
ISC
8.5
VO
320 (≥ 250)
tr, tf 13
VF
1.2
C0
25
TCV – 2.6
TCI 0.18
NEP 2.6 × 10–14
D*
6.1 × 1012
Einheit
Unit
KOM 2100 BF
0.85
Electrons
Photon
± 10
%
8
µA
320 (≥ 250) mV
13
ns
1.2
V
25
pF
– 2.6
mV/K
0.18
2.8 × 10–14
5.7 × 1012
%/K
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group
471
Share Link: 