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部品番号
コンポーネント説明
MGF4916G データシートの表示(PDF) - Mitsumi
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MGF4916G
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
Mitsumi
MGF4916G Datasheet PDF : 3 Pages
1
2
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25˚C)
50
T
a
=25˚C
V
DS
=2V
40
I
D
vs. V
GS
30
20
10
0
-1.0
-0.5
0
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
NF & Gs vs. I
D
(MGF4919G)
T
a
=25˚C
16
V
DS
=2V
f=12GHz
14
G
S
12
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
10
8
NF
5
10
15
20
25
DRAIN CURRENT I
D
(mA)
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
MGF491xG Series
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
I
D
vs. V
DS
60
T
a
=25˚C
V
GS
=-0.1V/STEP
50
V
GS
=0V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
Nov. ´97
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