MGF4953B データシートの表示（PDF） - MITSUBISHI ELECTRIC
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MGF4953B Datasheet PDF : 5 Pages
| |||
Nｏｖ./2006
MITSUBISHI SEMICONDUTOR <GaAs FET>
MGF4953B
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)
ID vs. VDS
50
Ta=25℃
VGS=-0.1V/STEP
40
30
20
10
0
0
1
2
3
DRAINDTrOainStOoUSRouCrEceVvOolLtaTgAeGEVDSV(DVS)(V)
ID VS. VGS
50
Ta=25℃
VDS=2V
40
30
20
10
0
-1.00
-0.50
0.00
GATEGaTtOe tSoOSUouRrCceEvVoOltaLgTeAGVGES(VV)GS(V)
1.3
Ta=25℃
1.2 VDS=2V
1.1 f=20GHz
1.0
NF & Gs VS. ID
Gs
0.9
0.8
0.7
NF
0.6
0.5
0.4
0
5
10
15
ドレイン電流 ID (mA)
DRAIN CURRENT ID(mA)
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
20
MITSUBISHI
(3/5)
Nov./2006
Share Link: 