NTE2323 データシートの表示（PDF） - NTE Electronics

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

NTE2323

Silicon NPN Transistor Quad, Amplifier

NTE Electronics 

NTE2323

Silicon NPN Transistor

Quad, Amplifier

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (TA = +25°C, Each Die), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.98mW/°C

Total Device Dissipation (TA = +25°C, Four Die Equal Power), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.6mW/°C

Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Reistance, Junction–to–Ambient, RthJA

Each Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167°C/W

Effective, 4 Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.5°C/W

Thermal Reistance, Junction–to–Case, RthJC

Each Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100°C/W

Effective, 4 Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39°C/W

Coupling Factors, Junction–to–Ambient

Q1–Q4 or Q2–Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56%

Q1–Q2 or Q3–Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10%

Coupling Factors, Junction–to–Case

Q1–Q4 or Q2–Q3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46%

Q1–Q2 or Q3–Q4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5%

Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

V(BR)CEO

V(BR)CBO

V(BR)EBO

ICBO

IC = 1mA, IB = 0

IC = 100µA, IE = 0

IE = 100µA, IC = 0

VCB = 150V, IE = 0

Min Typ Max Unit

200 – – V

20 – – V

5–– V

– – 100 nA

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