Q65110A2506 データシートの表示（PDF） - OSRAM GmbH

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

Q65110A2506

Silicon NPN Phototransistor

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessungen der Chipfläche

Dimensions of chip area

Halbwinkel

Half angle

Kapazität

Capacitance

VCE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 20 V, E = 0

Fotostrom

Photocurrent

Ee = 0.1 mW/cm2,VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektrr-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

IC = 10μA

Ee = 0.1 mW/cm2, λ = 950 nm

SFH 3204

Symbol

Symbol

λS max

λ

Wert

Value

920

Einheit

Unit

nm

450 … 1120 nm

A

L×B

L×W

ϕ

CCE

ICEO

IPCE

tr,tf

VCEsat

0.04

0.35 × 0.35

± 60

1.3

mm2

mm × mm

Grad

deg.

pF

2 (< 50)

nA

>32

μA

7

μs

140

mV

2007-04-03

3

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