Q65110A9942(2010) データシートの表示（PDF） - OSRAM GmbH

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

Q65110A9942
(Rev.:2010)

High Power Infrared Emitter (850 nm)

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Aktive Chipfläche

A

Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area

L×B

L×W

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf

auf 10%, bei IF = 70 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from

90% to 10%, IF = 70 mA, RL = 50 Ω

Durchlassspannung

VF

Forward voltage

IF = 70 mA, tp = 20 ms

Sperrstrom

IR

Reverse current

Gesamtstrahlungsfluss

Total radiant flux

IF = 70 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 70 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe,

IF = 70 mA

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 70 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 70 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 70 mA

Temperature coefficient of λ, IF = 70 mA

Φe typ

TCI

TCV

TCλ

SFH 4056

Wert

Value

0.04

0.2 × 0.2

12

Einheit

Unit

mm2

mm²

ns

1.6 (< 2.0)

V

not designed for μA

reverse

operation

40

mW

– 0.5

%/K

– 0.7

+ 0.3

mV/K

nm/K

2010-11-09

3

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