UT2304G-AE3-R データシートの表示（PDF） - Unisonic Technologies

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

UT2304G-AE3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Unisonic Technologies 

UT2304

„ TYPICAL CHARACTERISTICS

Power MOSFET

Forward Characteristic of Reverse Diode

10.00

1.00

TJ=150℃

0.10

TJ=25℃

0.01

0.1

0.5

0.9

1.3

Source-to-Drain Voltage, VSD (V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

Gate Threshold Voltage vs. Junction

2.05

Temperature

1.85

1.65

1.45

1.25

-50

0

50

100

150

Junction Temperature, TJ (℃)

3 of 5

QW-R502-150.D

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