混成集積回路
VLA502-01
IGBT モジュールゲート駆動用ハイブリット IC
最大定格 (指定のない場合は、Ta=25℃)
記号
項目
条
件
VD
電源電圧
DC
VI
入力信号電圧
端子 6-7 間電圧
50% duty cycle、パルス幅1ms
VO
IOHP
IOLP
Viso
出力電圧
出力電流
入力-出力間絶縁耐圧
出力“H”時の電圧
パルス幅 2μs
正弦波電圧 60Hz、1 分間
Tc1
ケース温度 1
ハイブリッドIC外装樹脂表面温度(フォトカプラ搭載部) (*3)
Tc2
ケース温度 2
ハイブリッドIC外装樹脂表面温度(フォトカプラ搭載部以外)
Topr
動作周囲温度
結露無きこと
Tstg
保存温度
結露無きこと
IFO
VR30
Idrive
エラー出力電流
端子30印加電圧
ゲートドライブ電流
端子 28 流入電流
―
ゲート平均電流
(*1) H/C 条件と異なります。
(*2)ディレーティングカーブをご参照ください。
(*3) 下図参照ください。
定格値
-1〜16.5
−1〜+7
Vcc
−12
12
2500
85
100
−20〜+60
−25〜+100(★1)
20
50
210(★2)
単位
V
V
V
A
A
Vrms
℃
℃
℃
℃
mA
V
mA
TC1 測定ポイント
(フォトカプラ搭載部)
マーク面
電気的特性 (指定のない場合は、 Ta=25℃,VD=15.0V,RG=2.2Ω)
記号
項目
条
件
VD
VIN
IIH
f
RG
IIH
VCC
電源電圧
1 次側プルアップ電源電圧
“H”入力信号電流
スイッチング周波数
ゲート抵抗
“H”入力信号電流
ゲート正電源電圧
推奨範囲
推奨範囲
推奨範囲
推奨範囲
推奨範囲
VIN=5V
―
VEE
η
VOH
VOL
t PLH
tr
t PHL
ゲート負電源電圧
ゲート電源部効率
“H”出力電圧
“L”出力電圧
“L-H”伝搬時間
“L-H”立ち上がり時間
“H-L”伝搬時間
―
VD=15V、IO=210mA
η=(VCC +|VEE|)(0.21)/(15・ID)×100
端子23−20間に10kΩ、入力“H”
端子23−20間に10kΩ、入力“L”
IIH=10mA
IIH=10mA
IIH=10mA
tf
“H-L”立ち下がり時間
IIH=10mA
t timer
タイマ時間
保護動作開始から解除まで
(入力信号は“L”である事)
IFO
エラー出力電流
端子28流入電流 R=4.7kΩ
ttrip1
短絡検出抑制時間1
端子30:15V 以上、端子29:オープン
ttrip2
短絡検出抑制時間2(★4)
端子30:15V 以上
端子29−21,22間:10pF の容量接続
VSC
短絡検出コレクタ電圧
―
(*4)短絡検出抑制時間変更用コンデンサの配線長は端子21、22、29より往復 5cm 以内
規格値
単位
最小 標準 最大
14.2 15 15.8 V
4.75 5 5.25 V
9.5 10 14 mA
− − 60 kHz
1 −− Ω
− 10 − mA
15.2 − 17.5 V
-6 − -11.5 V
60 75 − %
14 15.3 16.5 V
−5.5 − −11 V
0.25 0.4 0.65 μs
− 0.3 1 μs
0.25 0.4 0.65 μs
− 0.3 1 μs
1 − 2 ms
− 5 − mA
− 1.8 − μs
− 2.2 − μs
15 − − V
2