3DD13009K データシートの表示（PDF） - Jilin Sino-Microelectronics
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
3DD13009K Datasheet PDF : 6 Pages
| |||
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD13009K
项目
符号
数值
单位
Parameter
Symbol
Value
Unit
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大基极直流电流
最大基极脉冲电流
Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
Emitter-Base Voltage
Collector Current（DC）
Collector Current（pulse）
Base Current（DC）
Base Current（pulse）
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
IBP
700
V
400
V
9
V
12
A
24
A
6
A
12
A
最大集电极耗散功率
TO-220C
PC
100
W
Total Dissipation
TO-3PB
PC
120
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
Unit
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IEBO
Hfe(1)
Hfe(2)
VCE(sat)(1)
VCE(sat)(2)
VBE(sat)
tf
ts
fT
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=700V, IE=0
VCE=400V,IB=0
VEB=9V, IC=0
VCE =5V, IC=5A
VCE =5V, IC=8A
IC=5A, IB=1A
IC=8A, IB=1.6A
IC=8A, IB=1.6A
VCC=24V IC=5A,IB1=-IB2=1A
VCE=10V, IC=0.5A
400
-
-
V
700
-
-
V
9
-
-
V
-
-
100
μA
-
-
50
μA
-
-
10
μA
8
-
40
5
-
-
-
-
1.2
V
-
-
1.8
V
-
-
1.8
V
-
-
0.7
μS
-
-
3
μS
4
-
-
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-220C
Thermal Resistance Junction Case TO-220C
结到管壳的热阻 TO-3PB
Thermal Resistance Junction Case TO-3PB
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
1.25
℃ /W
Rth(j-c)
-
1.05
℃ /W
版本：201105D
2/6
Share Link: 