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部品番号
コンポーネント説明
Q67000-S249 データシートの表示(PDF) - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
Q67000-S249
SIPMOS ® Small-Signal Transistor
Siemens AG
Q67000-S249 Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
BSP 315
Power dissipation
P
tot
=
ƒ
(
T
A
)
2.0
W
P
tot
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
A
Safe operating area
I
D
=f(
V
DS
)
parameter :
D
= 0,
T
C
=25°C
Drain current
I
D
=
ƒ
(
T
A
)
parameter:
V
GS
≥
-10 V
-1.2
A
-1.0
I
D
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
T
A
Transient thermal impedance
Z
th JA
=
ƒ
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
10
2
K/W
Z
thJC
10
1
10
0
Semiconductor Group
10
-1
10
-2
10
-3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
t
p
5
Sep-12-1996
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