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部品番号
コンポーネント説明
Q67000-S506 データシートの表示(PDF) - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
Q67000-S506
SIPMOS® Small-Signal Transistor
Siemens AG
Q67000-S506 Datasheet PDF : 8 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
BSS 87
Power dissipation
P
tot
=
ƒ
(
T
A
)
1.2
W
1.0
P
tot
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
A
Safe operating area
I
D
=f(
V
DS
)
parameter :
D
= 0.01,
T
C
=25°C
Drain current
I
D
=
ƒ
(
T
A
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0.30
A
0.26
I
D
0.24
0.22
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
T
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
ƒ
(
T
j
)
Semiconductor Group
285
V
275
V
(BR)DSS
270
265
260
255
250
245
240
235
230
225
220
215
-60
-20
20
60
100 °C 160
T
j
5
Sep-18-1996
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