Q67000-S506 データシートの表示（PDF） - Siemens AG
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
Q67000-S506 Datasheet PDF : 8 Pages
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BSS 87
Typ. output characteristics
ID = ƒ(VDS)
parameter: tp = 80 µs , Tj = 25 °C
0.65
A
Ptot = 1W
lk
ji h
g
f
0.55
ID 0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
VGS [V]
a 2.0
e
b 2.5
c 3.0
d 3.5
e 4.0
f 4.5
g 5.0
d h 6.0
i 7.0
j 8.0
k 9.0
c
l 10.0
b
a
5.0 V 7.0
VDS
Typ. drain-source on-resistance
RDS (on) = ƒ(ID)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C
19
Ω
a
b
c
d
16
RDS (on)
14
12
10
8
6
e
4
2
VGS [V] =
ab
c
d
e
f
2.05 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
f
g
kji
h
ghi j k
6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40
A
0.60
ID
Typ. transfer characteristics ID = f(VGS)
parameter: tp = 80 µs
Typ. forward transconductance gfs = f (ID)
parameter: tp = 80 µs,
1.2
A
ID
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VGS
Semiconductor Group
6
0.55
S
gfs 0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 A 0.55
ID
Sep-18-1996
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