12N03LB データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
12N03LB Datasheet PDF : 12 Pages
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IPD12N03LB G
IPU12N03LB G
IPS12N03LB G
IPF12N03LB G
9 Drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(T j); I D=30 A; V GS=10 V
10 Typ. gate threshold voltage
V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
parameter: I D
24
22
20
18
16
14
98 %
12
typ
10
8
6
4
2
0
-60
-20
20
60 100 140 180
T j [°C]
2.5
2
200 µA
1.5
20 µA
1
0.5
0
-60 -20
20
60 100 140 180
T j [°C]
11 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
10000
12 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
100
25 °C, 98%
175 °C, 98%
1000
100
Ciss
Coss
Crss
175 °C
25 °C
10
10
0
Rev. 1.5
5
10
15
20
25
30
V DS [V]
1
0.0
page 6
0.5
1.0
1.5
V SD [V]
2.0
2006-05-15
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