Q68000-A7851 データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
Q68000-A7851 Datasheet PDF : 4 Pages
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Grenzwerte (TA = 25 °C
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
Löttemperatur
TS
Lötstelle ≥ 0.15 cm vom Gehäuse, Lötzeit t = 5 s
Soldering temperature, ≥ 0.15 mm distance from
case bottom, soldering time t = 5 s
Sperrspannung
VR
Reverse voltage
Durchlaßstrom
IF
Forward current
Verlustleistung
Ptot
Power dissipation
Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 °C
Derate above, TA > 25 °C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
–
RthJA
IRL 80 A
Wert
Value
– 40 … + 100
Einheit
Unit
°C
240
°C
3
V
60
mA
100
mW
1.33
mW/°C
750
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung bei Imax
Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Abstrahlwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
λpeak
∆λ
ϕ
Wert
Value
950
± 20
± 30
Einheit
Unit
nm
nm
Grad
deg.
Durchlaßspannung, IF = 20 mA
Forward voltage
Strahlstärke1), IF = 20 mA
Radiant intensity
VF
≤ 1.5
V
Ie
≥ 0.4
mW/sr
1) Ein Silizium-Empfänger mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse ausgerichtet.
Es wird eine Lochblende verwendet.
1) A 1 cm2 silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used.
2001-07-16
2
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