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部品番号
コンポーネント説明
SVF13N50F データシートの表示(PDF) - Unspecified
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
SVF13N50F
13A, 500V N-channel enhanced field effect transistor
Unspecified
SVF13N50F Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
SVF13N50T/F/PN
说明书
典型特性曲线
100
10
图
1.
输出特性
变量
VGS=4.5V
VGS=5V
VGS=5.5V
VGS=6V
VGS=7V
VGS=8V
VGS=10V
VGS=15V
1
0.1
0.1
注:
1.250µS
脉冲测试
2.T
C
=25°C
1
10
100
漏源电压
–
V
DS
(V)
0.52
0.50
图
3.
导通电阻
vs.
漏电流
V
GS
=10V
V
GS
=20V
0.48
0.46
0.44
0.42
0
注:
T
J
=25°C
4
8
12
16
20
漏电流
–
I
D
(A)
3000
2500
图
5.
电容特性
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
2000
1500
1000
500
Ciss
Coss
Crss
注:
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
0
0.1
1
10
100
漏源电压
–
V
DS
(V)
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
图
2.
传输特性
100
-55°C
25°C
150°C
10
1
注:
1.250µS
脉冲测试
2.V
DS
=50V
0.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
栅源电压
–
V
GS
(V)
图
4.
体二极管正向压降
vs.
源极电流、温度
100
-55°C
25°C
150°C
10
注:
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
1
0.1
0
0.2
0.4 0.6
0.8
1.0
1.2
源漏电压
–
V
SD
(V)
图
6.
电荷量特性
12
V
DS
=400V
10
V
DS
=250V
V
DS
=100V
8
6
4
2
注:
I
D
=13A
0
0
5
10
15
20
25
总栅极电荷
–
Qg(nC)
版本号:
11
2011.09.01
共
9
页 第
4
页
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