SPW47N65C3 データシートの表示（PDF） - Infineon Technologies
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
SPW47N65C3 Datasheet PDF : 11 Pages
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9 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=47 A pulsed
parameter: V DD
10
120 V
8
480 V
6
4
2
SPW47N65C3
10 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
103
102
150 °C
25 °C
101
150 °C, 98%
25 °C, 98%
0
0
40 80 120 160 200 240
Q gate [nC]
100
0
0.5
1
1.5
2
V SD [V]
11 Avalanche energy
E AS=f(T j); I D=3.5 A; V DD=50 V
12 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=0.25 mA
2000
1800
710
1600
1400
680
1200
1000
650
800
600
400
620
200
0
25
50
75 100 125 150 175
T j [°C]
590
-60 -20
20
60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 1.2
page 6
2008-02-12
Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009-134-A
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