HEB834 データシートの表示（PDF） - Shantou Huashan Electronic Devices
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
HEB834 Datasheet PDF : 2 Pages
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
PNP SILICON TRANSISTOR
HEB834
█ APPLICATIONS
Low Frequency Power Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature………………………… －55~150℃
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 30W
PC——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………1.5W
VCBO——Collector-Base Voltage……………………………-60V
VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… -60V
VEBO——Emitter-Base Voltage……………………………… -7V
IC——Collector Current……………………………………… -3A
Ib——Base Current………………………………………-0.5A
TO-220AB
1―Base，B
2―Collector，C
3―Emitter, E
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
Symbol
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage
ICBO Collector Cut-off Current
IEBO Emitter Cut-off Current
HFE（1） DC Current Gain
HFE（2） DC Current Gain
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
ft
Current Gain-Bandwidth Product
Cob Output Capacitance
tON Turn-On Time
tSTG Storage Time
tF Fall Time
－６０
６０
２０
Ｖ IC=-50mA, IB=0
－１００ μＡ VCB=-60V, IE=0
－１００ μＡ VEB=-7V, IC=0
２００ VCE=-5V, IC=-0.5A
VCE=-5V, IC=-3A
－０．５ －１ Ｖ IC=-3A, IB=-0.3A
－０．７ －１ Ｖ VCE=-5V, IC=-0.5A
９ ＭＨｚ VCE=-5V, IC=-0.5A,
１５０ ｐＦ VCB=-10V, IE=0，f=1ＭＨｚ
０．４
１．７
０．５
μＳ
μＳ
IB1= -IB2=-0.2A
VCC=-30V
μＳ
█ hFE Classification
O
Y
６０—１２０ １００—２００
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